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IRG4BC10SD中文资料

IRG4BC10SD图片

IRG4BC10SD外观图

  • 大小：210.74KB
  • 厂家：
  • 描述：INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
  • 标准包装：50
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：IGBT - 单路
  • 系列：-
  • IGBT 类型：-
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V
  • Vge, Ic时的最大Vce（开）：1.8V @ 15V，8A
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：14A
  • 功率 - 最大：38W
  • 输入类型：标准型
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3
  • 供应商设备封装：TO-220AB
  • 包装：管件
  • 其它名称：*IRG4BC10SD

IRG4BC10SD供应商

更新时间:2023-01-01 10:47:20
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